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J-GLOBAL ID：201202271087967973   整理番号：12A1293868

FET構造を用いた有機半導体α-(BEDT-TTF)₂I₃単結晶への静電キャリア注入

著者 (3件)： 石原拓真 (東大 物性研) ,  木俣基 (東大 物性研) ,  田島裕之 (東大 物性研)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 67  号： 2 第4分冊  ページ： 754  発行年： 2012年08月24日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *有機半導体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ヨウ化物 ,  *キャリア注入 ,  *電荷移動錯体 ,  バイポーラトランジスタ ,  オレフィン化合物 ,  硫黄複素環化合物
準シソーラス用語： *静電キャリア注入 ,  電荷秩序状態 ,  半導体-絶縁体転移 ,  有機電界効果トランジスタ

分類 (3件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： BEDT-TTF

タイトルに関連する用語 (5件)： FET ,  有機半導体 ,  BEDT-TTF ,  単結晶 ,  キャリア注入