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J-GLOBAL ID：201202282723263746   整理番号：12A0838217

液相成長法による絶縁体上のグラフェンの選択成長

Selective Formation of Graphene on Insulator by Liquid Phase Growth

著者 (7件)： HIURA Hidefumi (NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  HIURA Hidefumi (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  LEE Michael V. (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  LEE Michael V. (JST-CREST, Kawaguchi, JPN) ,  TYURNINA Anastasia V. (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  TSUKAGOSHI Kazuhito (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  TSUKAGOSHI Kazuhito (JST-CREST, Kawaguchi, JPN)
資料名： フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム講演要旨集  (Abstracts. Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium)
巻： 42nd  ページ： 32  発行年： 2012年03月06日 
JST資料番号： L1472A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭素材 ,  *液相成長 ,  絶縁材料 ,  *クラスタ分子 ,  *炭素 ,  キャリア移動度 ,  Ramanスペクトル ,  光学顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  *選択成長 ,  *グラフェン ,  絶縁体
準シソーラス用語： *ナノカーボン ,  レーザ顕微鏡 ,  電界効果移動度

分類 (3件)： 分子化合物  (CE02000C) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 液相成長 ,  絶縁体 ,  グラフェン ,  選択成長