特許

J-GLOBAL ID：201203026813866293

一軸配向性に優れた高温超伝導体薄膜及びその製造方法

発明者： 川江 健 ,  森本 章治 ,  大西 史哉
出願人/特許権者： 国立大学法人金沢大学
代理人 (1件)： 大谷 嘉一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-191597
公開番号（公開出願番号）：特開2012-046391
出願日： 2010年08月28日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：

【課題】Y-Ba-Cu-O系薄膜の結晶配向性を制御でき、優れたデバイスとなる超伝導体薄膜の提供を目的とする。【解決手段】基板材料の表面に形成したLaNiO3薄膜層と、当該LaNiO3薄膜層の上に形成されたY-Ba-Cu-O系薄膜層を有することを特徴とする。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板材料の表面に形成したLaNiO3薄膜層と、当該LaNiO3薄膜層の上に形成されたY-Ba-Cu-O系薄膜層を有することを特徴とする一軸配向性に優れたY-Ba-Cu-O系の薄膜積層体。

IPC (5件)：

C01G 3/00 ,  C01G 1/00 ,  H01L 39/24 ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00

FI (5件)：

C01G3/00 ,  C01G1/00 S ,  H01L39/24 B ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 565D

Fターム (16件)：

4G047JA03 ,  4G047JC02 ,  4G047KE02 ,  4G047KG04 ,  4M113AD36 ,  4M113AD39 ,  4M113BA04 ,  4M113CA34 ,  4M113CA44 ,  5G321AA04 ,  5G321BA11 ,  5G321CA04 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DB37