特許
J-GLOBAL ID:201203061641097535

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 加藤 朝道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-121393
公開番号(公開出願番号):特開2012-169672
出願日: 2012年05月28日
公開日(公表日): 2012年09月06日
要約:
【課題】電源システムを簡素化、節約する。【解決手段】シリコン半導101に流れる電流を用いてシリコン半導体101を冷却するN型材料102を備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
PN接合を形成するP型素子とN型素子の少なくとも1方の素子に金属層を介して、前記1方の素子とは逆極性の熱電半導体素子を備えた半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/38 ,  H01L 35/32
FI (2件):
H01L23/38 ,  H01L35/32 A
Fターム (3件):
5F136DA21 ,  5F136DA33 ,  5F136JA03
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特公昭51-005911
審査官引用 (1件)
  • 特開昭51-005911

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