特許
J-GLOBAL ID：201203092086010936
光半導体基板、光源用装置、及び、光半導体基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人サンクレスト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-184710
公開番号（公開出願番号）：特開2012-044026
出願日： 2010年08月20日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：
【課題】発光又は受光の効率を向上させることができ、しかも、広帯域でかつ所望のスペクトル形状を得る。【解決手段】電光変換又は光電変換を行う複数の変換部3と、複数の前記変換部3が集積して配置された基板本体2とを備えている。複数の前記変換部3は、電光変換の場合の出力特性又は光電変換の場合の入力特性が異なるものを含み、当該出力特性又は入力特性が異なる変換部3が基板本体1の集積面に沿った方向で分散して配列されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電光変換を行う複数の変換部と、複数の前記変換部が集積して配置された基板本体とを備えた光半導体基板であって、
複数の前記変換部は、出力特性が異なるものを含み、当該出力特性が異なる前記変換部が前記基板本体の集積面に沿った方向で分散して配列されていることを特徴とする光半導体基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F041AA11
, 5F041AA12
, 5F041CA05
, 5F041CA08
, 5F041CA35
, 5F041CA66
, 5F041FF16
, 5F141AA11
, 5F141AA12
, 5F141CA05
, 5F141CA08
, 5F141CA35
, 5F141CA66
, 5F141FF16
