研究者
J-GLOBAL ID:201301005818455480
更新日: 2024年01月30日
東條 孝志
toujyou takashi | takashi toujyou
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所属機関・部署:
阿南工業高等専門学校 技術部
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職名:
技術専門職員
研究分野 (1件):
薄膜、表面界面物性
競争的資金等の研究課題 (1件):
2010 - 2010 高温・砒素雰囲気下における配列制御型ナノ構造の作製
論文 (7件):
Takashi Toujyou, Tomoya Konishi, Motoi Hirayama, Koichi Yamaguchi, Shiro Tsukamoto. Intermittent growth for InAs quantum dot on GaAs(001). Journal of Crystal Growth. 2020. 551. 125891-125891
T. Toujyou, T. Otsu, D. Wakamatsu, M. Kurisaka, T. Konishi, S. Tsukamoto. In situ STM observations of step structures in a trench around an InAs QD at 300°C. Journal of Crystal Growth. 2013. 378. 44-46
Takashi Toujyou, Shiro Tsukamoto. In situ STM observation during InAs growth in nano holes at 300°C. Surface Science. 2011. 605. 13-14. 1320-1323
Tomoya Konishi, Nagatoshi Nishiwaki, Takashi Toujyou, Takuma Ishikawa, Teruki Teraoka, Yukiko Ueta, Yoshifumi Kihara, Hideji Moritoki, Tatsuo Tono, Mio Musashi, et al. Surface study of organopalladium molecules on S-terminated GaAs. Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 2011. 8. 2. 405-407
Takashi Toujyou, Shiro Tsukamoto. In situ STM observation of site- controlled InAs nano-dot growth on GaAs(001) during In and As4 irradiations. physica status solidi (c). 2011. 8. 2. 402-404
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MISC (21件):
東條孝志, 塚本史郎. STMBE断続供給法によるInAs量子ドット形成過程観察に関する研究. 東京大学総合技術研究会予稿集 平成29年度(CD-ROM). 2017
東條孝志, 東條孝志, 山口浩一, 塚本史郎. In断続供給によるInAs量子ドット形成のSTMBE観察. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2015. 62nd
東條孝志, 東條孝志, 山口浩一, 塚本史郎. In断続供給によるInAs量子ドット形成過程のSTMBE観察. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2015. 76th
東條孝志, 東條孝志, 山口浩一, 塚本史郎. STMBE法によるGaAs(001)上InAs3D島構造成長その場観察. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2014. 61st
東條孝志, 東條孝志, 山口浩一, 塚本史郎. InAsウェッティング層上ステップ構造近傍での量子ドット形成STMBE観察. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2014. 75th
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