研究者
J-GLOBAL ID：201301018183477878
更新日: 2020年08月31日
小西 敬太
Konishi Keita
この研究者にコンタクトする
直接研究者へメールで問い合わせることができます。
所属機関・部署：
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 量子知能デバイス研究分野
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 量子知能デバイス研究分野 について
「北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 量子知能デバイス研究分野」ですべてを検索
機関情報を見る
研究分野 (1件)：
薄膜、表面界面物性
研究キーワード (1件)：
グラフェン
論文 (3件)：
Keita Konishi, Zhixin Cui, Takahiro Hiraki, Kanji Yoh. Spin-injection into epitaxial graphene on silicon carbide. Journal of Crystal Growth. 2013. 378. 385-387
Keita Konishi, Kanji Yoh. Fabrication of p-n-p Graphene Structure and Observation of Current Oscillation. Japanese Journal of Applied Physics. 2011. 50. 6. 06GE13
Keita Konishi, Kanji Yoh. Transport characteristics of a single-layer graphene field-effect transistor grown on 4H-silicon carbide. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. 2010. 42. 10. 2792-2795
受賞 (1件)：
2009/07 - 9th IEEE International Conference on Nanotechnology Best Poster Award
※ J-GLOBALの研究者情報は、
researchmap
の登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、
こちら
をご覧ください。
前のページに戻る
TOP
BOTTOM
