研究者
J-GLOBAL ID：201301022868356485   更新日: 2023年03月13日

吉田 智博

Tomohiro Yoshida
所属機関・部署：
福岡県工業技術センター 機械電子研究所 材料技術課

福岡県工業技術センター 機械電子研究所 材料技術課 について


研究キーワード (6件)： めっき ,  コーティング ,  窒化アルミニウム ,  ダイヤモンド ,  薄膜成長 ,  半導体材料
論文 (19件)：
もっと見る
MISC (7件)：
もっと見る
特許 (1件)：
講演・口頭発表等 (18件)：
  • 高純度FeおよびSi単体ターゲットを用いた同時スパッタリング法によるβ-FeSi<sub>2</sub>膜の作製
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
  • 高速度鋼基板上へ形成したAlN硬質被膜の構造解析
    (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
  • 反応性同軸型アークプラズマ堆積法によるAlNナノコンポジット硬質皮膜の作製
    (表面技術協会講演大会講演要旨集 2018)
  • 反応性同軸型アークプラズマ堆積法によるナノコンポジットAlN薄膜の構造解析
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2017)
  • ナノコンポジットAlBN薄膜の硬度および膜構造に及ぼすB添加の効果
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2017)
もっと見る
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (九州大学)
経歴 (3件)：
  • 2016/04 - 現在 福岡県工業技術センター 機械電子研究所
  • 2013/04 - 2016/03 久留米工業高等専門学校 電気電子工学科 助教
  • 2011/04 - 2013/03 JFEスチール株式会社 制御部制御技術室
所属学会 (2件)：
表面技術協会 ,  応用物理学会
※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM