研究者
J-GLOBAL ID:201301036787591545   更新日: 2024年04月05日

奥村 宏典

オクムラ ヒロノリ | Okumura Hironori
所属機関・部署:
職名: 助教
ホームページURL (1件): https://sites.google.com/view/okumura
研究分野 (2件): 結晶工学 ,  電気電子材料工学
競争的資金等の研究課題 (19件):
  • 2024 - 2027 波長可変の真空紫外固体発光素子の開発
  • 2023 - 2027 縦型窒化アルミニウム素子の作製技術の確立
  • 2024 - 2025 ドライアイ診断治療の新展開を目指したコンタクトレンズ型 活性酸素測定・除去デバイスの開発
  • 2021 - 2025 III族窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
  • 2019 - 2024 酸化アルミニウムを用いた低価格パワーデバイスの開発
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論文 (38件):
  • Jia, Yun, Sato, Sora, Traore, Aboulaye, Morita, Ryo, Broccoli, Erwann, Florena, Fenfen Fenda, Islam, Muhammad Monirul, Okumura, Hironori, Sakurai, Takeaki. Electrical properties of vertical Cu2O/β-Ga2O3 (001) p-n diodes. AIP ADVANCES. 2023. 13. 10
  • Okumura, Hironori, Watanabe, Yasuhiro, Shibata, Tomohiko. Temperature dependence of electrical characteristics of Si-implanted AlN layers on sapphire substrates. Applied Physics Express. 2023. 16. 064005
  • Okumura, Hironori, Ogawara, Yohei, Togawa, Manabu, Miyahara, Masaya, Isobe, Tadaaki, Itabashi, Kosuke, Nishinaga, Jiro, Imura, Masataka. Degradation of vertical GaN diodes during proton and xenon-ion irradiation. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 064001
  • Okumura, Hironori. Pseudomorphic growth of Si-doped α-(AlGa)2O3 on m-plane α-Al2O3 substrates by molecular beam epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 6. 065504
  • Nishinaga, Jiro, Togawa, Manabu, Miyahara, Masaya, Itabashi, Kosuke, Okumura, Hironori, Imura, Masataka, Kamikawa, Yukiko, Ishizuka, Shogo. Annealing effects on Cu(In,Ga)Se2 solar cells irradiated by high-fluence proton beam. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SK1014
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特許 (2件):
書籍 (2件):
  • 欧米大学の研究環境
    公益社団法人 日本表面科学会 2016
  • Optronics
    2015
講演・口頭発表等 (48件):
  • Si doping of alpha-Al2O3 grown by molecular beam epitaxy
    (International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials)
  • High-temperature and high-power devices using AlN
    (16th International Symposium on Advanced Plasma Science)
  • 厳環境におけるワイドギャップ半導体の利用可能性
    (名古屋大CIRFEセミナー)
  • 酸化アルミニウムガリウムの電気伝導制御
    (TREMS成果報告会)
  • 極限環境で動作する半導体デバイス
    (筑波大Tristar共創リレーセミナー)
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学歴 (2件):
  • 2007 - 2012 京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
  • 2003 - 2007 京都大学 工学部 電気電子工学科
学位 (1件):
  • Ph.D, engineering (Kyoto University)
経歴 (5件):
  • 2018/04 - 現在 筑波大学 数理物質系 助教
  • 2016/04 - 2018/03 マサチューセッツ工科大学 電気電子情報学科 訪問研究員
  • 2015/04 - 2016/03 スイス連邦工科大学ローザンヌ校 物理学科 訪問研究員
  • 2014/04 - 2015/03 日本電信電話株式会社 物性科学基礎研究所 薄膜グループ リサーチアソシエイト
  • 2012/04 - 2014/03 カリフォルニア大学サンタバーバラ校 材料学科 JSPS海外特別研究員
委員歴 (3件):
  • 2020/01 - 2022/12 International Conference on Solid State Devices and Materials Program Committee, Area 4
  • 2021/04 - 2022/11 International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials Program Committee
  • 2020/03 - 2022/02 Electronic Materials Symposium Secretaries
受賞 (3件):
  • 2021/03/08 - CGCT-8 CGCT Young Scientist Award
  • 2020/11 - University of Tsukuba Young Faculty Award in University of Tsukuba
  • 2019/09/03 - SSDM Young Researcher Award
所属学会 (4件):
JSAP Ionization Radiation Division ,  Japanese Society of Applied Physics ,  Japanese Association for Crystal Growth ,  Material Research Society
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