研究者
J-GLOBAL ID:201301042454462829   更新日: 2024年04月18日

秋山 亨

Akiyama Toru
ホームページURL (1件): http://kaken.nii.ac.jp/d/r/40362363.ja.html
研究分野 (1件): 薄膜、表面界面物性
研究キーワード (30件): 半導体表面構造 ,  量子ドット ,  ナノ構造 ,  量子論的アプローチ ,  計算科学 ,  成長機構 ,  状態図 ,  ぬれ層表面 ,  LSI ,  Si ,  第一原理計算 ,  酸化物表面構造 ,  High-k絶縁膜 ,  半導体 ,  絶縁膜 ,  ドーピング機構 ,  HfO_2 ,  界面 ,  界面反応 ,  表面・界面物性 ,  ナノワイヤ ,  状熊図 ,  理論 ,  シリコン酸窒化 ,  トランジスタ特性 ,  シリコンナノ構造 ,  マイクロ・ナノデバイス ,  不純物 ,  SiO_2界面 ,  量子論
競争的資金等の研究課題 (10件):
  • 2020 - 2023 ボンドエンジニアリングによるオクテットAB型二元系原子層物質のマテリアルデザイン
  • 2019 - 2022 窒化物半導体量子ドット形成のボンドエンジニアリング
  • 2016 - 2021 計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計
  • 2017 - 2020 ボンドエンジニアリングによるIV族系混晶原子層物質のマテリアルデザイン
  • 2016 - 2019 ボンドエンジニアリングによる量子ドット形成機構解明
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論文 (285件):
  • Toru Akiyama, Takahiro Kawamura. An Ab Initio Study for Oxygen Adsorption Behavior on Polar GaN Surfaces. physica status solidi (b). 2024
  • Hiroyuki Kageshima, Toru Akiyama, Kenji Shiraishi. First-principles study on barrier height of silicon emission from interface into oxide during silicon thermal oxidation. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 4. 04SP08-04SP08
  • Toru Akiyama, Hiroyuki Kageshima, Kenji Shiraishi. Reaction of NO molecule at 4H-SiC/SiO2 interface and its orientation dependence: a first-principles study. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
  • Shun Matsuda, Toru Akiyama, Tetsuo Hatakeyama, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama. First-principles study for orientation dependence of band alignments at the 4H-SiC/SiO2 interface. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
  • Toru Akiyama, Takahiro Kawamura. Ab initio study for adsorption behavior on AlN(0001) surface with steps and kinks during metal-organic vapor-phase epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
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MISC (366件):
  • 河村貴宏, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕. OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響. 日本結晶成長学会誌(CD-ROM). 2023. 50. 1
  • 秋山亨, 伊藤智徳. III族窒化物エピタキシャル成長における成長様式の理論解析. 日本結晶成長学会誌(CD-ROM). 2023. 50. 1
  • 松田隼, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史. 4H-SiC/SiO2界面におけるバンド配列の面方位依存性に関する理論検討. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
  • 影島博之, 秋山亨, 白石賢二. Si酸化における界面から酸化膜へのSi放出過程の理論検討. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
  • 河村貴宏, 秋山亨. α-Ga2O3/Al2O3超格子のバンド構造解析. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
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講演・口頭発表等 (13件):
  • GaN(0001)表面におけるステップ端での吸着・脱離の挙動に関する理論的検討
    (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2019)
  • AlN(0001)基板上におけるAlGaN薄膜の成長様式に関する理論的検討
    (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2019)
  • 計算科学からみたIII-V族ナノワイヤにおける回転双晶超格子構造の形成機構
    (日本結晶成長学会誌(CD-ROM) 2019)
  • III族窒化物二次元原子層膜の構造安定性に関する理論的検討:膜厚依存性
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
  • III族窒化物半導体超格子におけるバンドギャップの組成依存性
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
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経歴 (2件):
  • 2015/03 - 現在 三重大学 大学院・工学研究科 准教授
  • 2008 - 2015/02 三重大学 大学院・工学研究科 助教
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