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J-GLOBAL ID：201302248323733631   整理番号：13A0892768

4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現

Fabrication of a Nonvolatile TCAM Chip Based on 4T-2MTJ Cell Structure

著者 (8件)： 松永翔雲 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  三浦貞彦 (NEC) ,  本庄弘明 (NEC) ,  木下啓蔵 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  池田正二 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  遠藤哲郎 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  大野英男 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  羽生貴弘 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 1(ICD2013 1-23)  ページ： 33-38  発行年： 2013年04月04日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高性能な情報検索機能を実現する並列構造の専用ハードウェア,Ternary Content-Addressable Memory(TCAM)では,記憶情報の大容量化と検索処理の低スタンバイ電力化が強く要求される。本稿では,4個のMOSトランジスタと2個のMagnetic Tunnel Junction(MTJ)素子を用いることで,記憶機能が不揮発化され,かつ所望の演算機能も実現できる新しい不揮発TCAMセル構造(4T-2MTJ構造)を提案する。90nm CMOSプロセスと100nm MTJプロセスにおいて3.14um²という最小面積の不揮発TCAMセルを実現し,不揮発TCAMテストチップによりその動作を実証した。また,本提案手法による大容量化と低スタンバイ電力化の優位性を明らかにする。(著者抄録)

シソーラス用語： *トンネル接合 ,  *連想メモリ ,  *不揮発性メモリ ,  情報検索 ,  電力 ,  スピントロニクス ,  消費電力
準シソーラス用語： *MTJ ,  *TCAM ,  スタンバイ電力 ,  スピントロニクス素子 ,  低電力化 ,  *不揮発メモリ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (2件)： セル構造 ,  TCAM