文献

J-GLOBAL ID：201302258273572335   整理番号：13A1222963

CuOおよびZnO薄膜の溶液成長とpnヘテロ接合形成

Chemical Bath Deposition of CuO and ZnO Films and Formation of pn Heterojunctions

著者 (5件)： 寺迫智昭 (愛媛大) ,  村上聡宏 (愛媛大) ,  北峯誠之 (愛媛大) ,  矢木正和 (香川高専) ,  白方祥 (愛媛大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 98(OME2013 30-46)  ページ： 77-82  発行年： 2013年06月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 塩化亜鉛(ZnCl₂)水溶液と塩化銅(CuCl)水溶液を用いた溶液成長法(CBD)によるZnO層上へのCuO層の成長実験では,“Volcano“状ZnO NRsを覆うようにCuO NRs集合体が堆積した。酢酸亜鉛二水和物[Zn(CH₃COO)₂2H₂O]と硝酸銅(II)三水和物[Cu(NO₃)₂3H₂O]を原料に用いたCBD法によって作製したCuO/ZnOスーパーストレート構造とサブストレート型ZnO/CuO構造の両者において平坦なヘテロ界面が観察された。とくに後者では,電流-電圧特性において整流性が確認された。(著者抄録)

シソーラス用語： *酸化銅 ,  *酸化亜鉛 ,  *半導体薄膜 ,  *溶液成長 ,  薄膜成長 ,  *PN接合 ,  *ヘテロ接合 ,  *ナノロッド ,  水溶液 ,  塩化亜鉛 ,  塩化銅 ,  電流電圧特性 ,  整流

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： CuO ,  ZnO薄膜 ,  溶液成長 ,  PNヘテロ接合