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J-GLOBAL ID：201302271013680653   整理番号：13A0853820

Csプラズマ照射による単層カーボンナノチューブ薄膜pn接合ダイオードの創製

著者 (4件)： 安彦嘉浩 (東北大 大学院) ,  加藤俊顕 (東北大 大学院) ,  畠山力三 (東北大 大学院) ,  金子俊郎 (東北大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.29P-G10-21  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *セシウム ,  *プラズマ曝露 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  *PN接合 ,  ダイオード ,  *薄膜 ,  FET【トランジスタ】 ,  整流
準シソーラス用語： プラズマ照射

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cs ,  プラズマ照射 ,  単層カーボンナノチューブ ,  薄膜 ,  PN接合 ,  ダイオード ,  創製