特許

J-GLOBAL ID：201303000794858010

シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置、その方法、シリコンウェーハの製造方法、及び薄膜振動子

発明者： 後藤 輝孝 ,  金田 寛 ,  根本 祐一
出願人/特許権者： 国立大学法人 新潟大学
代理人 (4件)： 牛木 護 ,  吉田 正義 ,  今枝 弘充 ,  梅村 裕明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-093276
公開番号（公開出願番号）：特開2009-033102
特許番号：特許第5276347号
出願日： 2008年03月31日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコンウェーハに超音波発振部と超音波受信部とを形成したシリコン試料と、 前記シリコン試料に対し外部磁場を印加する磁力発生手段と、 前記シリコン試料を50K以下の温度域に冷却可能な冷却手段と、 前記超音波発振部から発振された超音波パルスと、前記超音波パルスを前記シリコンウェーハ中に伝播させ前記超音波受信部において受信した測定波パルスとの位相差を検出する検出手段と を備え、 前記超音波発振部、及び、前記超音波受信部は、 前記温度域で温度降下に伴うシリコンウェーハの膨張に追随できる物性をもつ薄膜振動子のうち、固体化する際、固体化後に加熱する際、及び固体化後に加熱し冷却する際のいずれかにおいて分子軸の配向が発生する性質を有する高分子材料からなる薄膜振動子と、 前記薄膜振動子に電場を印加する電極と を有するトランスデューサを備え、 前記高分子材料はPVDF、P(VDF/TrFE)、P(VDF/TrFE)、P(VDF/TeFE)、P(VDCN/VAc)、(NHCONH-R-NHCONH-R’)n(R,R’は芳香族)、フッ素樹脂のいずれかであることを特徴とするシリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ( 200 6.01) ,  G01N 29/04 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/66 N ,  G01N 29/08 506