特許
J-GLOBAL ID：201303014878690477

半導体発光素子の製造方法

発明者：
中村 篤志

中村 篤志 について

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天明 二郎

天明 二郎 について

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青木 徹

青木 徹 について

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田中 昭

田中 昭 について


出願人/特許権者：
国立大学法人静岡大学

国立大学法人静岡大学 について


代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  鈴木 壯兵衞
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-247902
公開番号（公開出願番号）：特開2007-066986
特許番号：特許第5034035号
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】リモートプラズマ励起MOCVD法を用いた半導体発光素子の製造方法であって、 p型SiC単結晶基板の表面にZn原料を水素ラジカルと共に導入し、Znの原子層を前記p型SiC単結晶基板の表面に、少なくとも一原子層成長するステップと、 前記水素ラジカルの照射を停止し、酸素ラジカルと共に、水素ガスの雰囲気中でZn原料、Cd原料を前記p型SiC単結晶基板の表面に導入し、前記p型SiC単結晶基板の表面に、発光層となるZn1-xCdxO(0.07 IPC (2件)：
H01L 33/28 ( 201 0.01) ,  H01L 21/365 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 33/00 182 ,  H01L 21/365
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (2件)
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-198336   出願人：三洋電機株式会社
  • 光学媒体
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-163481   出願人：ラボ・スフィア株式会社
引用文献：
出願人引用 (1件)

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