特許

J-GLOBAL ID：201303017015809980

半導体装置

発明者： 山口 作太郎 ,  岡本 庸一
出願人/特許権者： 株式会社ワイ・ワイ・エル
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-121393
公開番号（公開出願番号）：特開2012-169672
特許番号：特許第5324680号
出願日： 2012年05月28日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 PN接合を形成し厚さが互いに異なるP型素子とN型素子のうち少なくとも厚さが薄い方の1方の素子に金属層を介して、前記厚さが薄い方の1方の素子とは逆極性の熱電半導体素子を備え、前記熱電半導体素子の断面は前記金属層と反対側の素子の断面よりも大とされる、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/38 ( 200 6.01) ,  H01L 35/32 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 23/38 ,  H01L 35/32 A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公昭51-005911
  

審査官引用 (1件)

• 特開昭51-005911