特許

J-GLOBAL ID：201303021271799085

酸化亜鉛薄膜の形成方法

発明者： 角谷 正友 ,  藤本 英司 ,  渡邊 賢司 ,  ミック リップマー ,  大西 剛 ,  鯉沼 秀臣
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-080250
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244011
特許番号：特許第4873726号
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ジアルキル亜鉛有機金属ガスと酸素との原料ガスのMOCVD(有機金属堆積法)による酸化亜鉛薄膜の成形方法であって、ジアルキル亜鉛有機金属ガスのキャリアガスとして水素含有ガスを用い、かつ、水素含有ガスからなる雰囲気形成ガスによって反応域を還元性雰囲気として、かつ、基板近傍において原料ガスと雰囲気形成ガスとが混ざるようにして、基板上に酸化亜鉛薄膜を成長させることを特徴とする酸化亜鉛薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/365 ( 200 6.01) ,  C23C 16/40 ( 200 6.01) ,  C23C 16/455 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/365 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/455

引用特許：

出願人引用 (6件)

• ZnO膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-114160   出願人：エア・ウォーター株式会社, スタンレー電気株式会社
• 透明導電膜及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-244197   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-131376   出願人：信越半導体株式会社
• 特開平4-290479
  
• CVD成膜法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-330495   出願人：旭硝子株式会社
• 成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-034843   出願人：株式会社アルファ・イーコー

審査官引用 (1件)

• ZnO膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-114160   出願人：エア・ウォーター株式会社, スタンレー電気株式会社