特許
J-GLOBAL ID:201303036989743964
半導体発光素子
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
奥田 誠司
, 喜多 修市
, 岡部 英隆
, 三宅 章子
, 山口 美里
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2011004465
公開番号(公開出願番号):WO2012-017685
出願日: 2011年08月05日
公開日(公表日): 2012年02月09日
要約:
本発明の半導体発光素子は、n型窒化物半導体層21と、p型窒化物半導体層23と、m面窒化物半導体層を含み、n型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層に挟まれた活性層領域22と、n型窒化物半導体層に電気的に接続されたn型電極30と、p型窒化物半導体層に電気的に接続されたp型電極40と、活性層領域で発生する偏光光を外部へ取出す出射面と、出射面に設けられたストライプ構造50であって、m面窒化物半導体層のa軸方向と略平行に伸びる複数の凸部を有するストライプ構造50とを備える。
請求項(抜粋):
n型窒化物半導体層と、
p型窒化物半導体層と、
m面窒化物半導体層を含み、前記n型窒化物半導体層および前記p型窒化物半導体層に挟まれた活性層領域と、
前記n型窒化物半導体層に電気的に接続されたn型電極と、
前記p型窒化物半導体層に電気的に接続されたp型電極と、
前記活性層領域で発生する偏光光を外部へ取出す出射面と、
前記出射面に設けられたストライプ構造であって、前記m面窒化物半導体層のa軸方向と略平行に伸びる複数の凸部を有するストライプ構造と、
を備えた半導体発光素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L33/00 172
, H01L33/00 186
Fターム (16件):
5F041AA03
, 5F041AA06
, 5F041AA07
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041FF11
, 5F141AA03
, 5F141AA06
, 5F141AA07
, 5F141CA05
, 5F141CA40
, 5F141CA65
, 5F141CA74
, 5F141FF11
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