特許

J-GLOBAL ID：201303060303953613

シリコンの製造方法

発明者： 安田 幸司 ,  野平 俊之
出願人/特許権者： 国立大学法人京都大学
代理人 (1件)： 特許業務法人サンクレスト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-067508
公開番号（公開出願番号）：特開2013-199393
出願日： 2012年03月23日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：

【課題】生成したシリコンを容易に回収することができ、高い生産効率でシリコンを製造することができるシリコンの製造方法、シリコンおよびシリコン太陽電池を提供すること。【解決手段】粒子径5nm〜1000μmの二酸化ケイ素粉末と粒子径5nm〜500μmの活性金属粉末との混合物を、二酸化ケイ素と活性金属との反応開始温度以上の温度に加熱することによってシリコンを生成させ、シリコンが生成する際に生じた反応熱によって当該シリコンを溶融させ、溶融したシリコンと活性金属の酸化物とを分離させるシリコンの製造方法、当該製造方法によって得られたシリコンならびに当該製造方法によって得られたシリコンが用いられたシリコン太陽電池。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

粒子径5nm〜1000μmの二酸化ケイ素粉末と粒子径5nm〜500μmの活性金属粉末との混合物を、二酸化ケイ素と活性金属との反応開始温度以上の温度に加熱することによってシリコンを生成させ、シリコンが生成する際に生じた反応熱によって当該シリコンを溶融させ、溶融したシリコンと活性金属の酸化物とを分離させることを特徴とするシリコンの製造方法。

IPC (1件)：

C01B 33/023

FI (1件)：

C01B33/023

Fターム (9件)：

4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH14 ,  4G072JJ08 ,  4G072JJ09 ,  4G072JJ25 ,  4G072UU02