特許

J-GLOBAL ID：201303062062348562

シリコンウェーハ中に存在する原子空孔濃度の定量評価方法、シリコンウェーハの製造方法、および当該製造方法により製造したシリコンウェーハ

発明者： 後藤 輝孝 ,  金田 寛 ,  根本 祐一 ,  赤津 光洋
出願人/特許権者： 国立大学法人 新潟大学
代理人 (3件)： 牛木 護 ,  小合 宗一 ,  高橋 知之
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2010063967
公開番号（公開出願番号）：WO2011-027670
出願日： 2010年08月19日
公開日（公表日）： 2011年03月10日
要約：

より効率的にシリコンウェーハ中に存在する原子空孔濃度を評価することができる定量評価方法、シリコンウェーハの製造方法、および当該製造方法により製造したシリコンウェーハを提供する。シリコンウェーハ26を一定の温度に保持したまま、前記シリコンウェーハ26に外部磁場を印加した状態で、超音波パルスを発振すると共に、前記超音波パルスを前記シリコンウェーハ26中に伝搬させた測定波パルスを受信し、前記超音波パルスと前記測定波パルスとの位相差を検出する検出工程と、前記位相差から弾性定数を算出する算出工程とを備える。前記外部磁場を変化させて、当該外部磁場の変化に対応した前記弾性定数を算出することにより、前記シリコンウェーハ26中の原子空孔濃度を評価する。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハを一定の温度に保持したまま、前記シリコンウェーハに外部磁場を印加した状態で、超音波パルスを発振すると共に、前記超音波パルスを前記シリコンウェーハ中に伝搬させた測定波パルスを受信し、前記超音波パルスと前記測定波パルスとの位相差を検出する検出工程と、 前記位相差から弾性定数を算出する算出工程と を備え、 前記外部磁場を変化させて、当該外部磁場の変化に対応した前記弾性定数を算出することにより、前記シリコンウェーハ中の原子空孔濃度を評価する ことを特徴とする定量評価方法。

IPC (1件)：

H01L 21/66

FI (1件)：

H01L21/66 N

Fターム (14件)：

2G047AA09 ,  2G047AC10 ,  2G047AD07 ,  2G047BA01 ,  2G047BC02 ,  2G047BC20 ,  2G047CB02 ,  2G047GF06 ,  2G047GG29 ,  4M106AA01 ,  4M106BA20 ,  4M106CB19 ,  4M106DH20 ,  4M106DJ20