特許
J-GLOBAL ID：201303074896861842
フォトレジストパターンの作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鷲田 公一
, 飯沼 和人
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2011001192
公開番号（公開出願番号）：WO2011-108259
出願日： 2011年03月01日
公開日（公表日）： 2011年09月09日
要約：
本発明の目的は、一定以上の厚みのフォトレジスト膜であっても、露光する光の波長の長さに関わらず、例えば可視光波長であったとしても、ナノメートル(好ましくは、シングルナノメートル)のフォトレジストパターニングを実現することである。本発明は、マスク基板に金属膜が配置されたプラズモン共鳴を生じる金属ナノ構造体からなるフォトマスクを準備するステップと;レジスト基板表面に成膜された、波長Xの光に感光するフォトレジスト膜を準備するステップと;前記フォトレジスト膜に前記フォトマスクを接触させるステップと;前記フォトレジスト膜に、前記波長Xよりも長く、かつ前記金属ナノ構造体のプラズモン共鳴バンドのピーク波長よりも短い波長Yの光を露光し、前記フォトマスクの金属膜のパターンを前記フォトレジス膜に転写するステップを含む、フォトレジストパターンを作製する方法を提供する。
請求項（抜粋）：
基板表面に凹凸構造を有するマスク基板の少なくとも凸部に金属膜が配置された、プラズモン共鳴を生じる金属ナノ構造体からなるフォトマスクを準備するステップ、
レジスト基板表面に成膜された、波長Xの光に感光するフォトレジスト膜を準備するステップ、
前記フォトレジスト膜に前記フォトマスクを接触させるステップ、
前記フォトレジスト膜に、前記波長Xよりも長く、かつ前記金属ナノ構造体のプラズモン共鳴バンドのピーク波長よりも短い波長Yの光を露光し、前記フォトマスクの金属膜のパターンを前記フォトレジス膜に転写するステップを含む、
フォトレジストパターンを作製する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20
, G03F 1/50
H01L21/30 502D
, H01L21/30 502P
, G03F7/20 521
, G03F1/50
2H095BA04
, 2H095BB02
, 2H095BC24
, 2H095BC28
, 5F146AA25
, 5F146AA28
, 5F146CA07
, 5F146CB17
, 5F146DA01
, 5F146DA06
