特許

J-GLOBAL ID：201303079829237842

有機半導体膜及びその製造方法、並びにコンタクトプリント用スタンプ

発明者： 串田 尚 ,  内藤 裕義
出願人/特許権者： 帝人株式会社
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  出野 知 ,  蛯谷 厚志 ,  関根 宣夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2011060296
公開番号（公開出願番号）：WO2011-142267
出願日： 2011年04月27日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：

第1の本発明の有機半導体膜(10)は、相対する2つの表面側(11、12)の電荷移動度の比{(電荷移動度が大きい表面側の電荷移動度)/(電荷移動度が小さい表面側の電荷移動度)}の値が1以上10未満であり、且つシリコンウェハ上にスピンコーティングによって作製した同一の厚さ及び材料の有機半導体膜についてのピーク高さを基準としたときに、相対X線反射ピーク高さが2.0以上である。第2の本発明の有機半導体膜(10)は、相対する2つの表面側(11、12)の電荷移動度の比{(電荷移動度が大きい表面側の電荷移動度)/(電荷移動度が小さい表面側の電荷移動度)}の値が2以上である。

請求項（抜粋）：

相対する2つの表面側の電荷移動度の比{(電荷移動度が大きい表面側の電荷移動度)/(電荷移動度が小さい表面側の電荷移動度)}の値が1以上10未満であり、且つシリコンウェハ上にスピンコーティングによって作製した同一の厚さ及び材料の有機半導体膜についてのピーク高さを基準としたときに、相対X線反射ピーク高さが2.0以上である、有機半導体膜。

IPC (4件)：

H01L 21/368 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L21/368 L ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H01L29/78 618B

Fターム (26件)：

5F053AA50 ,  5F053HH01 ,  5F053LL10 ,  5F053PP01 ,  5F053PP03 ,  5F053PP20 ,  5F053RR13 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32