特許
J-GLOBAL ID：201303084697252743
スパッタリング装置およびスパッタガン
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-172325
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351592
特許番号：特許第4888683号
出願日： 2005年06月13日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 薄膜原料を含むターゲットと、スパッタガンとを有し、前記スパッタガンから発せられる磁場の作用で前記ターゲットの表面近傍にプラズマを発生させてスパッタを行い、放出される薄膜原料を基材の表面に被着させて薄膜を形成するスパッタリング装置において、
前記スパッタガンには、超電導磁場発生装置が組み込まれており、
超電導磁場発生装置は、
超電導遷移温度以下に冷却され磁場を捕捉することにより外部に磁場を発する超電導体と、前記超電導体を冷却する冷却手段と、前記超電導体を収容する断熱容器とを具備しており、
前記超電導体は、一方向に環流する超電導電流を有する第1領域と、前記第1領域と逆向きに環流する超電導電流を有する第2領域とが、前記超電導体の中心から外側に向かうに従い交互に存在しており、
前記ターゲットの表面にプラズマを超電導体の径方向に広く分布させて前記ターゲットの表面におけるエロージョン領域を広げるべく、前記第1領域と前記第2領域を環流する超電導電流によるアーケード状の磁場分布、または、前記第1領域もしくは前記第2領域を環流する超電導電流および強磁性体によるアーケード状の磁場分布を前記ターゲットの前面に形成することを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (2件)：
H01F 6/00 ( 200 6.01)
, C23C 14/35 ( 200 6.01)
H01F 7/22 ZAA H
, C23C 14/35 Z
, H01F 7/22 C
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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