研究者
J-GLOBAL ID:201401000323827700
更新日: 2024年01月31日
森 貴洋
モリ タカヒロ | Mori Takahiro
所属機関・部署:
職名:
主任研究員
ホームページURL (1件):
https://staff.aist.go.jp/mori-takahiro/
研究分野 (5件):
電気電子材料工学
, 電子デバイス、電子機器
, ナノマイクロシステム
, ナノ材料科学
, 応用物性
研究キーワード (8件):
2次元層状物質
, シリコン半導体デバイス
, 等電子トラップ
, トンネル電界効果トランジスタ
, カーボンナノチューブ
, 電子デバイス
, 単電子トランジスタ
, 電子線リソグラフィ
競争的資金等の研究課題 (5件):
- 2017 - 2020 シリコン量子ビット集積化に向けたスピン結合基本技術の創製
- 2016 - 2019 シリコントンネルトランジスタの量子ドットデバイス応用に関する研究
- 2015 - 2018 トンネルトランジスタのトラップエンジニアリングによる新機能素子の創製
- 2014 - 2016 2次元層状薄膜を用いた励起子レーザの開発
- 2008 - 2009 単一電子回路網形成へ向けてのカーボンナノチューブ単電子トランジスタの開発
論文 (114件):
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Hidehiro Asai, Shota IIZUKA, Tohru Mogami, Junichi Hattori, Koichi Fukuda, Tsutomu Ikegami, Kimihiko Kato, Hiroshi Oka, Takahiro Mori. Device structure and fabrication process for silicon spin qubit realizing process-variation-robust SWAP gate operation. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. {SC}
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Yoshisuke Ban, Kimihiko Kato, Shota IIZUKA, Shigenori Murakami, Koji Ishibashi, Satoshi Moriyama, Takahiro Mori, Keiji Ono. Introduction of deep level impurities, S, Se, and Zn, into Si wafers for high-temperature operation of a Si qubit. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. {SC}
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Kimihiko Kato, Yongxun Liu, Shigenori Murakami, Yukinori Morita, Takahiro Mori. Electron beam lithography with negative tone resist for highly integrated silicon quantum bits. Nanotechnology. 2021. 32. 48. 485301-485301
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Shota Iizuka, Kimihiko Kato, Atsushi Yagishita, Hidehiro Asai, Tetsuya Ueda, Hiroshi Oka, Junichi Hattori, Tsutomu Ikegami, Koichi Fukuda, Takahiro Mori. Buried nanomagnet realizing high-speed/low-variability silicon spin qubits: Implementable in error-correctable large-scale quantum computers. IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers. 2021. 2021-June
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Kimihiko Kato, Hidehiro Asai, Koichi Fukuda, Takahiro Mori, Yukinori Morita. Si bilayer tunnel field-effect transistor structure realized using tilted ion-implantation technique. SOLID-STATE ELECTRONICS. 2021. 180
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MISC (125件):
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Hiroshi Oka, Wataru Mizubayashi, Yuki Ishikawa, Noriyuki Uchida, Takahiro Mori, Kazuhiko Endo. Flash lamp annealing processing to improve the performance of high-Sn content GeSn n-MOSFETs. Applied Physics Express. 2021. 14. 9
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浅井栄大, 飯塚将太, 服部淳一, 池上努, 福田浩一, 森貴洋. TCAD技術を活用した半導体量子ドットデバイスの静電容量解析. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 67th
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飯塚将太, 浅井栄大, 加藤公彦, 服部淳一, 福田浩一, 森貴洋. 等電子トラップ援用トンネルFETの量子ドット動作におけるゲート長依存性の発現機構. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 81st
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浅井栄大, 森貴洋, 松川貴, 服部淳一, 遠藤和彦, 福田浩一. Trimmed Gate型TFETにおける超急峻スイッチング特性. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.21a-CE-2
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福田浩一, 浅井栄大, 服部淳一, 森貴洋, 森田行則, 昌原明植, 右田真司, 太田裕之, 遠藤和彦, 松川貴. TFETの短チャネル効果と界面ポテンシャル. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.21p-PB3-1
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特許 (5件):
学歴 (2件):
- 2001 - 2006 東北大学大学院 工学研究科 応用物理学専攻
- 1997 - 2001 東北大学 工学部 応用物理学科
学位 (1件):
経歴 (4件):
- 2013/04 - 現在 産業技術総合研究所 研究員
- 2011/04 - 2013/03 産業技術総合研究所 研究員(プロジェクト付)
- 2009/06 - 2011/03 産業技術総合研究所 特別研究員
- 2006/04 - 2009/05 理化学研究所 特別研究員
所属学会 (2件):
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