研究者
J-GLOBAL ID：201401006813709992   更新日: 2022年10月01日

長澤 弘幸

Nagasawa Hiroyuki
研究キーワード (3件)： 半導体デバイス ,  結晶成長 ,  炭化珪素
MISC (16件)：
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講演・口頭発表等 (22件)：
  • Si(110)上3C-SiC(111)薄膜の結晶方位回転成長機構
    (第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015)
  • Si(110)上3C-SiC(111)薄膜の結晶方位回転成長機構
    (第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015)
  • SiCエピタキシャル成長技術と ポリタイプ積層
    (第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 2015)
  • SiCエピタキシャル成長技術と ポリタイプ積層
    (第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 2015)
  • What is 'Killer Defect' in 3C-SiC
    (IUMRS-ICA 2014)
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学位 (1件)：
  • 工学博士 (東海大学)
経歴 (1件)：
  • 東北大学 電気通信研究所 研究員
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