中村成志

ナカムラセイジ | Nakamura Seiji

所属機関・部署：
職名：准教授

研究分野 (3件)：応用物理一般 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (21件)：センサー , 水素 , 先端機能デバイス , 表面・界面物性 , 窒化ガリウム , GaN , ICTS , 光容量分光法 , 光電効果 , 不純物準位 , 分子線エピタキシ , 不純物ドーピング , YB , DLTS , ショットキーダイオード , III族窒化物半導体 , PHCAP , PPC , 窒素ガリウム , 等温過渡容量分光法 , ショットキーダイトード

論文 (41件)：

Takuma Takimoto, Koji Takeshita, Seiji Nakamura, Tsugunori Okumura. Effects of plasma-induced defects on electrical characteristics of AlGaN/GaN heterostructure before and after low-temperature annealing. THIN SOLID FILMS. 2014. 557. 212-215
Seiji Nakamura, Koichi Hoshino, Yuki Ikadai, Masayuki Suda, Tsugunori Okumura. Anomalous Enhancement of In-Diffusion of Plasma-Induced Defects in GaN upon Ultraviolet-Light Irradiation. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013. 52. 8. 088001.1-088001.3
福田裕司, 束原肇, 中村成志, 奥村次徳. MEMS応用に向けたIII族窒化物半導体積層構造の基礎検討. 電気学会研究会資料. MSS, マイクロマシン・センサシステム研究会. 2009. 2009. 1. 37-41
大園智章, 高橋紀行, 中村成志, 奥村次徳. Pd-窒化物半導体接触を利用した水素ガスセンサの検知メカニズムの検討. 電気学会研究会資料. CHS, ケミカルセンサ研究会. 2009. 2009. 1. 91-94
中村成志, 大園智章, 高橋紀行, 奥村次徳. 高温動作Pd/AlGaN/GaN構造水素ガスセンサの検知特性評価. 電気学会研究会資料. CHS, ケミカルセンサ研究会. 2009. 2009. 1. 87-90

学位 (1件)：

博士(工学) (山口大学)

経歴 (1件)：

2014 - 首都大学東京大学院・理工学研究科准教授

所属学会 (3件)：

米国電気電子学会(IEEE) , 電気学会 , 応用物理学会

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