西佑介

ニシユウスケ | NISHI Yusuke

所属機関・部署：
競争的資金等の研究課題 (11件)：

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論文 (22件)：

Yuto Nakamura, Yusuke Nishi. Simulation of analog resistance change characteristics in Pt/TaO_x/Ta₂O₅/Pt cells. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. SM1012
Toshiki Miyatani, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto. Methods of controlling operation modes in Pt/TaO_x/Ta₂O₅/Pt resistive switching cells. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. SM1006
Yusuke Nishi. Improvement of appearance probability of conductance quantization by hydrogen thermal treatment in Pt/NiO/Pt-resistive switching cells. MRS Advances. 2021. 6. 22. 554-557
Tatsuya Iwata, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto. Grain-boundary structures and their impact on the electrical properties of NiO films deposited by reactive sputtering. Thin Solid Films. 2020. 709. 138203-138203
Naoki Kanegami, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto. Unique resistive switching phenomena exhibiting both filament-type and interface-type switching in Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO_3-δ/Pt ReRAM cells. Applied Physics Letters. 2020. 116. 1. 013501-013501

MISC (18件)：

嵯峨根慶人, 坂井駿斗, 税木善則, 大浦曜, 坂東隆宏, 針谷達, 西佑介. 導電性ダイヤモンドライクカーボンを用いた抵抗変化素子の作製および評価. 2021年度先進的技術シンポジウム. 2022
大野知晟, 西佑介. 酸化物を用いた抵抗変化素子のフォーミング特性の評価. 電子情報通信学会技術研究報告. 2022. 121. 387. 20-23
西佑介, 山中拓弥. Pt/NiO/Pt 積層構造におけるフォーミング特性分布. 舞鶴工業高等専門学校紀要. 2021. 56. 29-34
山田和尚, 木本恒暢, 西佑介. TiN電極を用いたTa₂O₅-ReRAM素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存. 電子情報通信学会技術研究報告. 2020. 120. 273. 42-45
西佑介, 木本恒暢. Pt/NiO/Pt積層構造素子におけるリセットの駆動力. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 64th. 16P-301-4

特許 (4件)：

書籍 (1件)：

講演・口頭発表等 (95件)：

二層の酸化タンタルを用いた抵抗変化素子における量子ポイントコンタクトの消失
(応用物理学会春季学術講演会 2023)
Pt/TaOx/Ta2O5/Pt抵抗変化素子のアナログ高抵抗化時の酸素空孔輸送特性
(応用物理学会春季学術講演会 2023)
酸化物を用いた抵抗変化素子における電気的特性の評価
(SEMICON Japan 2022 2022)
Effect of voltage application rate on resistance change characteristics in Ta2O5-based ReRAM cells
(JSST Annual International Conference on Simulation Technology 2022)
酸化物を用いた抵抗変化素子の経時変化に対する電極材料の影響
(第28回日本高専学会年会講演会 2022)

学歴 (2件)：

学位 (1件)：

経歴 (4件)：

委員歴 (2件)：

受賞 (4件)：

所属学会 (2件)：

Materials Research Society , 応用物理学会

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西 佑介