研究者
J-GLOBAL ID:201401062725539502   更新日: 2024年01月30日

重川 直輝

シゲカワ ナオテル | Shigekawa Naoteru
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): http://shigekawa-ocu.jp
研究分野 (1件): 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (5件): 電子輸送特性 ,  ワイドギャップ半導体 ,  半導体ヘテロ構造 ,  多接合太陽電池 ,  表面活性化接合
競争的資金等の研究課題 (15件):
  • 2021 - 2025 Si/ダイヤモンド直接接合界面ナノ構造の熱処理による制御
  • 2020 - 2023 縦型デバイス応用に向けた導電性ダイヤモンドとGaN、Ga2O3ヘテロ接合の形成
  • 2019 - 2022 パワーデバイス応用に向けた酸化ガリウム/IV族半導体直接接合界面形成
  • 2019 - 2020 ダイヤモンド直接接合による高耐熱性界面の研究開発
  • 2018 - 2020 高効率素子に向けたワイドギャップ半導体/ダイヤモンド直接接合及び界面相構造の解明
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論文 (191件):
  • Ryo Kagawa, Zhe Cheng, Keisuke Kawamura, Yutaka Ohno, Chiharu Moriyama, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, et al. High Thermal Stability and Low Thermal Resistance of Large Area GaN/3C-SiC/Diamond Junctions for Practical Device Processes. Small. 2023
  • Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa. Characterization of Ga-face/Ga-face and N-face/N-face interfaces with antiparallel polarizations fabricated by surface-activated bonding of freestanding GaN wafers. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SN. SN1013-SN1013
  • A. Kobayashi, H. Tomiyama, Y. Ohno, Y. Shimizu, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang. Room temperature bonding of GaN and diamond via a SiC layer. Functional Diamond. 2022. 2. 1. 142-150
  • Zhe Cheng, Jianbo Liang, Keisuke Kawamura, Hao Zhou, Hidetoshi Asamura, Hiroki Uratani, Janak Tiwari, Samuel Graham, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, et al. High thermal conductivity in wafer-scale cubic silicon carbide crystals. Nature Communications. 2022. 13. 1
  • Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Yutaka Ohno. Heterojunctions fabricated by surface activated bonding-dependence of their nanostructural and electrical characteristics on thermal process. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. 12. 120101-120101
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MISC (77件):
  • 上東洋太, 大曲新矢, 梅沢仁, 山田英明, LIANG Jianbo, 重川直輝. n+-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの作製と電気特性評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • 上東洋太, 大曲新矢, 梅沢仁, 山田英明, LIANG Jianbo, 重川直輝. Si/ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの耐熱性評価. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
  • 上東洋太, 大曲新矢, 梅沢仁, 山田英明, LIANG Jianbo, 重川直輝. 表面活性化接合法によるダイヤモンド/Siヘテロ接合ダイオードの作製. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • Naoteru Shigekawa, Hideki Takagi, Masahisa Fujino, Eiji Higurashi, Nobuhiko Nishiyama, Takehito Shimatsu, Noriaki Toyoda. Low Temperature Bonding for 3D Integration FOREWORD. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2020. 59
  • Y. Ohno, R. Miyagawa, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa. Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature. Proceedings of the 6th International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration. 2019. 2-2
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特許 (104件):
書籍 (1件):
  • 異種材料の接着・接合技術とマルチマテリアル化
    技術情報協会 2017
講演・口頭発表等 (158件):
  • GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価
    (2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
  • 自立基板上GaNエピ層/GaAs直接接合界面のナノ構造評価
    (2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
  • Si太陽電池に対するZnSe/ZnS:Mn/ZnS core/shellナノ粒子の堆積効果
    (2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
  • Ga2O3/3C-SiC接合界面の作製及び特性評価
    (2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
  • GaAs//Si Hybrid Double Junction Cells Fabricated by Direct Bonding of Epitaxially Lifted-Off GaAs Subcell Layers on PET Films
    (29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 2019)
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学位 (1件):
  • 博士(理) (東京大学)
経歴 (2件):
  • 2016/04/01 - 現在 大阪市立大学 複合先端研究機構 副機構長・教授
  • 2011/10 - 現在 大阪市立大学 工学研究科 教授
委員歴 (6件):
  • 2016/07 - 現在 IEE Electronics Letters Associate Editor
  • 2016/07 - 現在 エレクトロニクスレターズ 編集委員会 編集委員
  • 2015/10 - 現在 学振191委員会 幹事
  • 2015/10/01 - 現在 日本学術振興会産学協力研究委員会 接合界面創成技術第191委員会 幹事
  • 2012/04 - 現在 JJAP編集委員会 編集委員
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受賞 (1件):
  • 2017/03/17 - APEX/JJAP編集貢献賞
所属学会 (6件):
IEEE ,  電気学会 ,  電子情報通信学会 ,  英国物理学会 ,  日本物理学会 ,  応用物理学会
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