研究者

J-GLOBAL ID：201401068647306081 更新日: 2020年08月31日

劉洪武

リユウホンウ | Riyuu Honu

ホームページURL (2件)： http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/926ef536107313398cfb683fbbbf1c1c.html , http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/926ef536107313398cfb683fbbbf1c1c.html

研究キーワード (2件)：光スイッチング物性を示す有機固体の開発 , Electron transport measurements on quantum dot

MISC (18件)：

M. M. Uddin, H. W. Liu, K. F. Yang, K. Nagase, K. Sekine, C. K. Gaspe, T. D. Mishima, M. B. Santos, Y. Hirayama. Gate depletion of an InSb two-dimensional electron gas. Applied Physics Letters. 2013. 103. 12. 123502
M. M. Uddin, H. W. Liu, K. F. Yang, K. Nagase, K. Sekine, C. K. Gaspe, T. D. Mishima, M. B. Santos, Y. Hirayama. Gate depletion of an InSb two-dimensional electron gas. Applied Physics Letters. 2013. 103. 12. 123502
M. M. Uddin, H. W. Liu, K. F. Yang, K. Nagase, T. D. Mishima, M. B. Santos, Y. Hirayama. Characterization of InSb quantum wells with atomic layer deposited gate dielectrics. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2012. 101. 23. 233503
M. M. Uddin, H. W. Liu, K. F. Yang, K. Nagase, T. D. Mishima, M. B. Santos, Y. Hirayama. Characterization of InSb quantum wells with atomic layer deposited gate dielectrics. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2012. 101. 23. 233503
刘洪武, 杨凯锋, T D Mishma, M B Santos, K Nagase, Y Hirayama. 电阻式核磁共振测量的最新进展. 物理学报. 2012. 61. 147302

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講演・口頭発表等 (2件)：

InSb Quantum Wells with Excellent Gate Controllability
(JSAP Spring Meeting 2013)
InSb Quantum Wells with Excellent Gate Controllability
(JSAP Spring Meeting 2013)

学位 (1件)：

中国科学院長春物理研究所 (中国科学院)

経歴 (1件)：

東北大学大学院理学研究科物理学専攻量子物性物理学講座量子伝導物性分野准教授

所属学会 (1件)：

日本物理学会

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