研究者
J-GLOBAL ID:201401070800833260
更新日: 2024年01月30日
花房 宏明
ハナフサ ヒロアキ | Hiroaki Hanafusa
この研究者にコンタクトする
直接研究者へメールで問い合わせることができます。
所属機関・部署:
広島大学 大学院先進理工系科学研究科
広島大学 大学院先進理工系科学研究科 について
「広島大学 大学院先進理工系科学研究科」ですべてを検索
職名:
准教授
ホームページURL (1件):
http://kaken.nii.ac.jp/d/r/70630763.ja.html
研究分野 (1件):
電子デバイス、電子機器
競争的資金等の研究課題 (3件):
2020 - 2023 シリコンキャップアニールによるSiC表面の制御とシリサイドレスコンタクトの研究
2016 - 2019 電子線後方散乱法を用いた局所的半導体結晶性分布評価法の開発
2013 - 2015 アモルファスシリコンを用いた欠陥制御型ヘテロジャンクション電極の開発と制御
論文 (16件):
Hiroaki Hanafusa, Ryosuke Nakashima, Wataru Nakano, Seiichiro Higashi. Extremely high-power-density atmospheric-pressure thermal plasma jet generated by the nitrogen-boosted effect. Japanese Journal of Applied Physics. 2018. 57. 6
Ryosuke Nakashima, Ryota Shin, Hiroaki Hanafusa, Seiichiro Higashi. Generation of ultra high-power thermal plasma jet and its application to crystallization of amorphous silicon films. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2017. 56. 6
Hiroaki Hanafusa, Ryosuke Ishimaru, Seiichiro Higashi. High-temperature and high-speed oxidation of 4H-SiC by atmospheric pressure thermal plasma jet. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2017. 56. 4
Hiroaki Hanafusa, Keisuke Maruyama, Ryosuke Ishimaru, Seiichiro Higashi. High efficiency activation of phosphorus atoms in 4H-SiC by atmospheric pressure thermal plasma jet annealing. Materials Science Forum. 2016. 858. 535-539
Keisuke Maruyama, Hiroaki Hanafusa, Ryuhei Ashihara, Shohei Hayashi, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi. High-efficiency impurity activation by precise control of cooling rate during atmospheric pressure thermal plasma jet annealing of 4H-SiC wafer. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2015. 54. 6
もっと見る
MISC (69件):
亀田朝輝, 花房宏明, 東清一郎. シリコン熱光学係数の精密測定による非接触温度測定の高精度化. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.21a-233-4
東堂大地, 花房宏明, 東清一郎. シリコンキャップアニールを行ったn型4H-SiCのコンタクト特性に関する調査. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.20p-221C-3
水川友里, 花房宏明, 東清一郎. 大気圧熱プラズマジェット照射による溶融シリコン内温度分布の可視化. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.20a-233-1
河崎星輝, 花房宏明, 東清一郎. 窒素ブースト大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCウェハ中不純物のミリ秒高速活性化アニール. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.20p-221C-2
平野友貴, 花房宏明, 東清一郎. 中空構造SOI層を用いた高効率低温転写技術のためのリソグラフィプロセスの構築. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.19a-233-8
もっと見る
特許 (1件):
半導体積層膜、及び半導体積層膜作製用装置
経歴 (2件):
2021/04 - 現在 広島大学 大学院先進理工系科学研究科 准教授
2013 - 広島大学 大学院・先端物質科学研究科 助教
※ J-GLOBALの研究者情報は、
researchmap
の登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、
こちら
をご覧ください。
前のページに戻る
TOP
BOTTOM