上殿明良

2019 - 2021 負性電子親和力を利用した高密度ポジトロニウム生成のためのダイヤモンド表面制御

2016 - 2021 陽電子消滅による結晶特異構造のキャリア捕獲・散乱ダイナミックスの評価

2017 - 2019 窒素極性面AlNの接触抵抗低減と分極効果トランジスタの実現

2015 - 2018 a-Si:H/c-Siヘテロ接合界面近傍のボイド構造解明

2010 - 2014 室温動作ポラリトンレーザ構造のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル形成

2007 - 2010 低速陽電子ビームによる絶縁膜/Si界面の遷移層及び歪の研究

2006 - 2010 III 族窒化物半導体の点欠陥と発光ダイナミックスの研究

2007 - 2009 ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化亜鉛エピタキシーと微小共振器形成

2004 - 2006 ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化物半導体・誘電体エレクトロニクスの展開

2004 - 2005 陽電子消滅を用いた金属/金属酸化物の空孔型欠陥の研究

2004 - 2005 酸化物薄膜における酸素欠損と電気的特性の関連性評価と膜質改善

2001 - 2002 陽電子消滅によるGaN系半導体の点欠陥の研究

1999 - 2000 低速陽電子線を用いた高温熱平衡状態におけるSiの点欠陥挙動解析

1997 - 1998 陽電子消滅を用いた高分子の分子構造の研究

1995 - 1995 ポジトロンを用いたシリコンの空孔-酸素複合体の研究

1994 - 1995 超短パルス低速陽電子線の開発

1994 - 1994 半導体の融点直下に於ける熱平衡欠陥の研究

1993 - 1993 陽電子消滅法による半導体中の結晶欠陥の研究

1992 - 1993 鋼材の中性子照射脆化機構に対するイオン照射手法の適用

1992 - 1992 陽電子による半導体中の結晶欠陥及びドーパント状態の研究

1990 - 1991 陽電子消滅によるプラスチックスの転移の解析

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Akira Uedono, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Kohei Shima, Shigefusa F. Chichibu, Jun Uzuhashi, Tadakatsu Ohkubo, Shoji Ishibashi, et al. Vacancy-Type Defects and Their Trapping/Detrapping of Charge Carriers in Ion-Implanted GaN Studied by Positron Annihilation. physica status solidi (b). 2024
K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, A. Uedono, S. Ishibashi, and, S. F. Chichibu. Temporary and spatially resolved luminescence studies of p-GaN segments fabricated by vacancy-guided redistribution of Mg using sequential ion implantation of Mg and N. Proceedings of IWJT2023: IEEE Xplore Digital Library (2023). 2023. 1-4
Uedono, A., Kimura, Y., Hoshii, T., Kakushima, K., Sumiya, M., Tsukui, M., Miyano, K., Mizushima, I., Yoda, T., Tsutsui, K. Vacancy-type defects in AlInN/AlN/GaN structures probed by monoenergetic positron beam. Journal of Applied Physics. 2023. 133. 22
Akira Uedono, Hideki Sakurai, Jun Uzuhashi, Tetsuo Narita, Kacper Sierakowski, Shoji Ishibashi, Shigefusa F. Chichibu, Michal Bockowski, Jun Suda, Tadakatsu Ohokubo, et al. Annealing properties of vacancy-type defects in ion implanted GaN during ultra-high-pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam. Gallium Nitride Materials and Devices XVIII. 2023
Okumura, H., Uedono, A. Mg implantation in AlN layers on sapphire substrates. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 2. 020901

秩父重英, 嶋紘平, 小島一信, MOODY Baxter, 三田清二, COLLAZO Ramon, SITAR Zlatko, SITAR Zlatko, 熊谷義直, 上殿明良. AlN単結晶上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の発光特性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英, 秩父重英. Mgイオン注入後の空孔ガイド拡散法により形成したp型GaNのルミネッセンス評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
LI Liyang, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 上殿明良, 石橋章司, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英. c面Al_0.83In_0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2021. 121. 259(ED2021 15-36)
上殿明良, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 嶋紘平, 小島一信, 秩父重英, 石橋章司. 陽電子消滅を用いたMgイオン注入により形成したp型GaNのMg活性プロセスと空孔型欠陥の研究. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英. 空孔ガイドMg拡散法によるp型イオン注入GaNの空間分解CL評価. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd

12TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON SLOW POSITRON BEAM TECNIQUES (SLOPOS12)
IOP PUBLISHING LTD 2011
GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES VI
SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 2011 ISBN:9780819484765
PROCEEDINGS OF THE 2009 IEEE INTERNATIONAL INTERCONNECT TECHNOLOGY CONFERENCE
IEEE 2009 ISBN:9781424444915
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics, Vol 4, No 10
WILEY-V C H VERLAG GMBH 2007
Conference Record of the 2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Vols 1 and 2
IEEE 2006 ISBN:1424400163

Defect Studies of ZnFe2O4/MWCNT by Positron Annihilation Lifetime and Doppler Broadening Spectroscopy
(7th International Conference on Nano science and Nanotechnology (ICONN-2023))
Electrical properties of silicon-implanted alpha-Al2O3
(The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2022)
Positron Annihilation Studies on MWCNT/MnFe2O4 Nanocomposites
(19th International Conference on Positron Annihilation (ICPA-19))
Investigation on vacancy type defects in Fe doped SrSnO3 perovskite nanostructures by Positron annihilation spectroscopy
(International Workshop on Positron Studies of Defects 2020 (PSD-20))
Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors
(Conference on Gallium Nitride Materials and Devices XV 2020)

上殿 明良