文献

J-GLOBAL ID：201402201245561420   整理番号：14A1237999

パルスレーザ堆積法による複酸化物薄膜の組成制御

著者 (1件)： 大西剛 (物質・材料研究機構)
資料名： 真空ジャーナル  (Journal of Japan Vacuum Industry Association)
号： 150  ページ： 5-9  発行年： 2014年10月15日 
JST資料番号： L8030A  ISSN： 1883-1052  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 機能性材料を応用した各種デバイスの製作に使われる薄膜作製手法の一つに,パルスレーザ堆積(PLD)法がある。PL法は,高融点である酸化物材料の薄膜化手法として,高温超伝導材料などの薄膜化に多用され,また,薄膜を堆積する基板として単結晶を用いることで,比較的容易にエピタキシャル薄膜が得られる。本稿では,真空プロセスであるPLD法を用いて,バルク単結晶に迫る高結晶性の機能性複酸化物エピタキシャル薄膜を作製する上での問題点とその克服方法について解説した。

シソーラス用語： レーザ蒸着 ,  *薄膜 ,  *真空技術 ,  エピタクシー ,  酸化物 ,  機能材料 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： エピタキシャル成長

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (17件)：

• K.A. Müller and H. Burkard, Phys. Rev. B 19 (1979) 3593.
• H.P.R. Frederikse, et al., Phys. Rev. 134 (1964) A422.
• J. F. Schooley, et al., Phys. Rev. Lett. 14 (1965) 305.
• M. Kawasaki, et al., Science 266 (1994) 1540.
• T. Ohnishi, M. Lippmaa, T. Yamamoto, S. Meguro, and H. Koinuma, J. Appl. Phys. 103 (2008) 103703.

タイトルに関連する用語 (4件)： パルスレーザ堆積 ,  複酸化物 ,  薄膜 ,  組成制御