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J-GLOBAL ID：201402229253585543   整理番号：14A1098609

6H-SiC上グラフェンにおける成長時間とキャリア密度の関係

著者 (3件)： 宮本貴雄 (北大 量子集積セ) ,  小西敬太 (北大 量子集積セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.18A-PA3-23  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *炭素材 ,  *薄膜成長 ,  *キャリア密度 ,  *熱分解 ,  化合物半導体 ,  *シート抵抗 ,  膜厚 ,  半導体薄膜 ,  *グラフェン ,  6H-炭化ケイ素
準シソーラス用語： 6H-SiC ,  *表面分解法

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 6H-SiC ,  グラフェン ,  成長 ,  キャリア密度