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J-GLOBAL ID：201402233491098321   整理番号：14A0773008

共蒸着法によるAg-Gaセレン化物薄膜の作製とその光電気化学特性

著者 (4件)： 兼古寛之 (東大 工) ,  嶺岸耕 (東大 工) ,  久保田純 (東大 工) ,  堂免一成 (東大 工)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 94th  号： 2  ページ： 519  発行年： 2014年03月12日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： AgGaSe2(AGSe)は,主にSe4p軌道からなる価電子帯上端が比較的深い電位にあるため,Cu(In,Ga)Se2(CIGS)に比べて高いフラットバンド電位を有する光カソード材料の1つである。しかしAGSeは,CIGSに比べてn型化しやすく,その制御が難しい。また,均一なAGSe薄膜の光電気化学特性は調べられたことがない。このような背景を踏まえ,今回は均一なAGSe薄膜を共蒸着法で作製し,AGSeの光電気化学特性を検討した。その結果,量論の組成を持つAGSeはアノーディックな光応答を示すのに対し,Ga過剰の組成を持つAGSeはカソーディックな光応答を示すことが明らかになった。(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜 ,  *セレン化物 ,  *銀化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  化学合成 ,  *化学蒸着 ,  応答 ,  電位 ,  光電流 ,  光照射 ,  可視光 ,  保持 ,  白金触媒 ,  雰囲気 ,  水素 ,  カソード ,  アノード ,  *光電気化学
準シソーラス用語： 光応答 ,  水素雰囲気

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 共蒸着 ,  Ag ,  Ga ,  セレン化物 ,  薄膜 ,  作製 ,  光電気化学特性