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J-GLOBAL ID:201402254038378825   整理番号:14A0718136

P(VDF/TrFE)薄膜を用いたMEMS超音波センサの開発

Development of MEMS Ultrasonic Sensor Using P(VDF/TrFE) Thin Films
著者 (4件):
資料名:
巻: PHS-14  号: 16-19.21-26  ページ: 29-33  発行年: 2014年05月27日 
JST資料番号: L2897B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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本論文では作製した,圧電体材料としてP(VDF/TrFE)薄膜を使用したダイアフラム構造のMEMS超音波センサを取りあげ(ダイアフラムの支持層としてSiO2膜を用いたセンサと使用しないセンサの2種類を作製),P(VDF/TrFE)薄膜の作製方法について解説するとともに,MEMS超音波センサの作製プロセスについて説明した。また,2種類のMEMS超音波センサの受信特性を明らかにするとともに,圧電体材料にPZT薄膜を用いたMEMS超音波センサの受信特性と比較して議論した。
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分類 (3件):
分類
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音響測定  ,  有機化合物の薄膜  ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性 
引用文献 (14件):
タイトルに関連する用語 (5件):
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