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J-GLOBAL ID：201402273441329502   整理番号：14A0682490

15ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM-6T2MTJセルにバックグラウンド書き込み(BGW)方式を適用-

A 1Mb STT-MRAM for Nonvolatile Embedded Memories performing 1.5ns/2.1ns Random Read/Write Cycle Time-Background Write (BGW) Scheme applied to a 6T2MTJ Memory Cell-

著者 (19件)： 大澤隆 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  大澤隆 (東北大 国際集積エレクトロニクス研究開発セ) ,  小池洋紀 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  小池洋紀 (東北大 国際集積エレクトロニクス研究開発セ) ,  三浦貞彦 (NEC グリーンプラットフォーム研) ,  木下啓蔵 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  本庄弘明 (NEC グリーンプラットフォーム研) ,  池田正二 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  池田正二 (東北大 国際集積エレクトロニクス研究開発セ) ,  池田正二 (東北大 電通研) ,  羽生貴弘 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  羽生貴弘 (東北大 国際集積エレクトロニクス研究開発セ) ,  羽生貴弘 (東北大 電通研) ,  大野英男 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  大野英男 (東北大 国際集積エレクトロニクス研究開発セ) ,  大野英男 (東北大 電通研) ,  遠藤哲郎 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  遠藤哲郎 (東北大 国際集積エレクトロニクス研究開発セ) ,  遠藤哲郎 (東北大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 13(ICD2014 1-18)  ページ： 33-38  発行年： 2014年04月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CMOSラッチと一対のMTJからなる差動対型メモリセルにおいて,CMOSラッチへ書き込んだデータを用いてMTJを自動的に反転するバックグラウンド書き込み(BWG)方式を適用することによって,2.1nsecという高速な書き込みサイクル時間を実現した1Mb STT-MRAMの設計・試作・評価に関する報告であり,本方式の適用により,L3やL2キャッシュ等の高速混載メモリを不揮発性化してコンピュータのローパワー化を図ることが可能となる。(著者抄録)

シソーラス用語： *データ読取 ,  *データ書込 ,  時間 ,  *不揮発性メモリ ,  MRAM ,  トルク ,  *電子スピン ,  *トンネル接合 ,  磁気抵抗効果 ,  *電力制御 ,  *消費電力 ,  キャッシュメモリ ,  シミュレーション ,  スケーリング【計数】 ,  MOSFET ,  チャネル
準シソーラス用語： サイクル時間 ,  スピントルク ,  STT-MRAM ,  MTJ ,  パワーゲーティング ,  バックグラウンド書込

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (11件)：

• G. E. Moore, ”No exponential is forever: but ”forever” can be delayed!” ISSCC Dig. Tech. Papers, pp. 20-23, Feb. 2003.
• K. Roy, S. Mukhopadhyay, and H. Mahmoodi-Meimand, ”Leakage current mechanisms and leakage reduction techniques in deep-submicrometer CMOS circuits,” Proc. IEEE, vol. 91, no. 2, pp. 305-327, Feb. 2003.
• N. A. Kurd, S. Bhamidipati, C. Mozak, J. L. Miller, T. M. Wilson, M. Nemati, and M. Chowdhury, ”Westmere: A family of 32nm IA processors,” ISSS Tech. Dig., pp. 96-97, Feb. 2010.
• H. Ohno, T. Endoh, T. Hanyu, N. Kasai, and S. Ikeda, ”Magnetic tunnel junction for nonvolatile CMOS logic,” IEDM Tech. Dig., pp. 218-221, Dec. 2010.
• T. Endoh, T. Ohsawa, H. Koike, T. Hanyu, and H. Ohno, ”Restructuring of memory hierarchy in computing systmes with spintronics-based technologies,” Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., pp. 89-90, June 2010.

タイトルに関連する用語 (8件)： 読出 ,  書込 ,  サイクル時間 ,  不揮発性 ,  STT-MRAM ,  セル ,  バックグラウンド ,  書き込み