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J-GLOBAL ID：201402293820129198   整理番号：14A0369634

(775)B InP基板上にMBE成長したInGaAs層及びInAlAs層の光学的特性と格子整合条件近傍のIn組成依存性

著者 (4件)： 森貞俊 (愛媛大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院) ,  宮田哲弥 (愛媛大 大学院) ,  西松佑真 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.18A-E11-4  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *MBE成長 ,  *リン化インジウム ,  *光学的性質 ,  *格子整合 ,  インジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  赤外発光スペクトル
準シソーラス用語： InAlAs ,  組成依存性

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (8件)： InP ,  MBE成長 ,  InGaAs ,  InAlAs ,  光学的特性 ,  格子整合 ,  近傍 ,  組成依存性