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J-GLOBAL ID：201402294230417348   整理番号：14A0477962

電気化学的手法によるIII-V族半導体多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用

著者 (3件)： 佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  渡部晃生 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  熊崎祐介 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 電気化学会大会講演要旨集
巻： 81st  ページ： 281  発行年： 2014年03月29日 
JST資料番号： Y0048A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *電気化学センサ ,  *FET【トランジスタ】 ,  *イオンセンサ ,  構造 ,  *多孔質体 ,  多孔性 ,  電子回路 ,  検出 ,  *リン化インジウム ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  層 ,  チャネル ,  表面電位 ,  感度 ,  性能 ,  能力 ,  検出限界 ,  電極 ,  塩酸 ,  電解液 ,  アノード酸化 ,  フォトリソグラフィー ,  真空蒸着 ,  *調製 ,  電流電圧特性 ,  pH依存性 ,  作用電極 ,  検出能
準シソーラス用語： InP ,  イオン感応性電界効果トランジスター ,  ゲート検出部 ,  チャネル層 ,  検出回路 ,  検出感度 ,  *材料調製 ,  *多孔質ゲート型ISFET ,  多孔質構造 ,  陽極酸化

分類 (4件)： 分析機器  (CC02020S) ,  電気化学一般  (CB07010N) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電気化学 ,  手法 ,  III-V族半導体 ,  多孔質構造 ,  高感度 ,  化学センサ ,  応用