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文献
J-GLOBAL ID:201402295241895418   整理番号:14A0370220

GaN化合物とラジカル窒素を原料に用いたMBE法による希土類添加GaN薄膜の作製(2)

著者 (4件):
資料名:
巻: 61st  ページ: ROMBUNNO.18P-E11-7  発行年: 2014年03月03日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
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分類 (1件):
分類
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半導体薄膜 

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