特許

J-GLOBAL ID：201403002169356210

磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： 本庄 弘明 ,  三浦 貞彦 ,  石綿 延行 ,  深見 俊輔
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012059485
公開番号（公開出願番号）：WO2012-137911
出願日： 2012年04月06日
公開日（公表日）： 2012年10月11日
要約：

本発明は、容易に低コストで製造することができる、電流駆動磁壁移動現象を利用したMRAMおよびその製造方法を提供する。第1強磁性層(10)と、該第1強磁性層に対向し、非磁性膜を挟んで配置された、磁化が固定された第2強磁性層(30)と、該第1強磁性層の一端部に接して配置された第3強磁性層(40)と、該第1強磁性層の他端部に接して配置された第4強磁性層(50)と、を具備し、該第1強磁性層及び該第3強磁性層は、1つの強磁性体の長手方向の一方の端部を酸化して該第3強磁性層とし、残る部分を該第1強磁性層とした構造を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

請求項（抜粋）：

第1強磁性層と、 該第1強磁性層に対向し、非磁性膜を挟んで配置された、磁化が固定された第2強磁性層と、 該第1強磁性層の一端部に接して配置された第3強磁性層と、 該第1強磁性層の他端部に接して配置された第4強磁性層と、を具備し、 該第1強磁性層及び該第3強磁性層は、1つの強磁性体の長手方向の一方の端部を酸化して該第3強磁性層とし、残る部分を該第1強磁性層とした構造を有することを特徴とする、磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/12

FI (4件)：

H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/12

Fターム (29件)：

4M119AA03 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119DD17 ,  4M119JJ02 ,  5F092AA11 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB38 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB45 ,  5F092BC03 ,  5F092CA15 ,  5F092CA23