特許
J-GLOBAL ID：201403004073056900

磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリの製造方法

発明者：
本庄 弘明

本庄 弘明 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-094590
公開番号（公開出願番号）：特開2014-140077
出願日： 2014年05月01日
公開日（公表日）： 2014年07月31日
要約：
【課題】低電流の書込み電流で、かつ、高速動作を実現することが可能な磁気メモリセルの製造方法を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子の製造方法が、反転可能な磁化を有する磁化自由層を形成する工程と、磁化自由層の上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層の上に、磁化がほぼ一方向に固定された磁化固定層を形成する工程とを具備する。磁化自由層を形成する工程は、NiFeBから成る第2磁化自由層を形成する工程と、第2磁化自由層の上に、Fe又はCoから成る第1磁化自由層を形成する工程とを備えている。絶縁層は、前記第1磁化自由層の上に形成される。【選択図】図1B
請求項（抜粋）：
反転可能な磁化を有する磁化自由層を形成する工程と、 前記磁化自由層の上に絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層の上に、磁化がほぼ一方向に固定された磁化固定層を形成する工程と を具備し、 前記磁化自由層を形成する工程は、 NiFeBから成る第2磁化自由層を形成する工程と、 前記第2磁化自由層の上に、Fe又はCoから成る第1磁化自由層を形成する工程と を備え、 前記絶縁層は、前記第1磁化自由層の上に形成される 磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z
Fターム (29件)：
4M119AA03 ,  4M119AA05 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD15 ,  4M119DD25 ,  4M119DD33 ,  4M119DD47 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  5F092AA03 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BE24 ,  5F092BE27
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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