パターンの形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：大島正孝 , 白石泰三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-090578
公開番号（公開出願番号）：特開2010-263202
特許番号：特許第5618599号
出願日： 2010年04月09日
公開日（公表日）： 2010年11月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板とパターン状モールドとの間隙に、水素化ケイ素化合物およびハロゲン化ケイ素化合物よりなる群から選択される少なくとも1種のシラン化合物を配置する第一の工程と配置した前記シラン化合物に熱処理および紫外線照射処理から選択される少なくとも1種の処理を施す第二の工程とを含むパターンの形成方法において、前記第一の工程が、基板上にシラン化合物の被膜を形成し、次いで該被膜上にパターン状モールドを配置して加圧することにより行われるものである、前記パターンの形成方法。

IPC (2件)：