特許
J-GLOBAL ID：201403051530562157
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-534814
特許番号：特許第5565704号
出願日： 2009年10月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数のメモリセルを備えるメモリアレイを具備し、
前記複数のメモリセルは、
偶数行および奇数行のいずれか一方に沿って配置された第1メモリセル及び第3メモリセルと、
他方に沿って配置された第2メモリセルと
を備え、
前記複数のメモリセルの各々は、
MTJ素子と、
内部を流れる書き込み電流で誘起される磁界で前記MTJ素子にデータを書き込む書き込み線と
を含み、
前記複数のメモリセルの各々の前記書き込み線は、
前記MTJ素子が接続された凸部と、
前記凸部の両側に設けられ、前記メモリアレイの行方向に延在する枝部と
を含み、
前記書き込み線の前記凸部の前記行方向に垂直な列方向の幅は、前記書き込み線の前記枝部の前記列方向の幅よりも広く、
前記第2メモリセルの前記書き込み線の前記凸部は、前記第1メモリセルの前記書き込み線の前記凸部と前記第3メモリセルの前記書き込み線の前記凸部との間に形成される凹部に向いて配置される
半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 29/82 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
, G11C 11/15 ( 200 6.01)
H01L 27/10 447
, H01L 29/82 Z
, H01L 43/08 Z
, G11C 11/15 140
, G11C 11/15 150
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
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