特許

J-GLOBAL ID：201403055269048403

半導体装置及びその製造方法

発明者： 日浦 英文 ,  東口 達 ,  多田 哲也 ,  金山 敏彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-545346
特許番号：特許第5326093号
出願日： 2007年10月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 発光層が陰極と陽極で挟まれた構造を持ち、前記陰極及び前記陽極の内の少なくとも一方が単層カーボンナノチューブを含み、前記単層のカーボンナノチューブは、ドナー又はアクセプターを内包し、前記発光層は電界発光を行い、 前記ドナーは、単層カーボンナノチューブの有効真性仕事関数より小さなイオン化ポテンシャルを持ち、前記ドナーを含む単層カーボンナノチューブの仕事関数が、前記発光層に含まれる発光材料のLUMOエネルギー準位となるように調整され、当該単層カーボンナノチューブは前記陰極を構成するとともに、 前記アクセプターは、前記単層カーボンナノチューブの有効真性仕事関数より大きな電子親和力を持ち、前記アクセプターを含む単層カーボンナノチューブの仕事関数が、前記発光層に含まれる発光材料のHOMOエネルギー準位となるように調整されて当該単層カーボンナノチューブは前記陽極を構成することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H05B 33/26 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01) ,  H05B 33/10 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H05B 33/26 Z ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/10

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-109480   出願人：東レ株式会社
• ドーパント材料、ドーパント材料の製造方法およびこれを用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-001422   出願人：日本電気株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 発光装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-183327   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 画像表示用透明電極体および画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-363408   出願人：タキロン株式会社

審査官引用 (2件)

• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-109480   出願人：東レ株式会社
• ドーパント材料、ドーパント材料の製造方法およびこれを用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-001422   出願人：日本電気株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所