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J-GLOBAL ID:201502201533118725   整理番号:15A0205857

選択ウェットエッチング技術を利用したナノフォトニック構造・量子ドット結合体の作製と光学特性

著者 (1件):
資料名:
号: 28  ページ: 243-250  発行年: 2014年12月 
JST資料番号: L5491A  ISSN: 0919-3383  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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Ge自己形成量子ドットと,屈折率の異なる材料を周期的に配列した構造のナノフォトニック構造の融合構造を利用して,シリコンフォトニクスの分野は飛躍的な性能向上を達成している。本研究では,Ge量子ドット構造上に,選択ウェットエッチング技術でナノフォトニック構造を形成し,ナノフォトニック構造・量子ドット結合体を作製し,Ge量子ドット構造がナノフォトニック構造の形状や光学特性に与える影響を調べた。その結果,ナノフォトニック構造の深さが増大すると反射率が低減することが分かった。さらに,光ルミネセンススペクトルからSiスペーサを厚くすることにより転位の影響を抑制する可能性があることがわかった。またフォトニック構造の深さが増加すると,Geドットおよび濡れ層の光ルミネセンス(PL)強度が大きくなることもわかった。さらに太陽電池を製作し,全ての波長で高い外部量子効率が得られたが,特に短波長領域では,ナノフォトニック構造・Ge量子ドット結合体太陽電池のみで外部量子効率の増大を観測できた。
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般  ,  太陽電池  ,  光物性一般 

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