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J-GLOBAL ID:201502207258831547   整理番号:15A1173219

GaSb(Bi)/AlGaSb量子井戸検出赤外フォトリフレクタンスによる電子準位に及ぼすビスマスの影響【Powered by NICT】

Bismuth Effects on Electronic Levels in GaSb(Bi)/AlGaSb Quantum Wells Probed by Infrared Photoreflectance
著者 (9件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: 067301-1-067301-4  発行年: 2015年 
JST資料番号: W1191A  ISSN: 0256-307X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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GaSb(Bi)/Al(0.2)Ga(0.8)Sb単一量子井戸は77KでのFourier変換赤外spectrometerbasedフォトリフレクタンス法によって特性化した。有効バンドギャップ以上での電子準位間の空間的に直接及び間接遷移はよく分解した。Bi取り込みを持つ電子準位のシフトを定量的に同定した。結果は価電子バンド端の上方シフトが優勢であることを明らかにしたことを示したが,伝導バンド端のBi誘起下方シフトが存在するとGaSbBi量子井戸層におけるバンドギャップ減少(29±6)%に寄与している。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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電子との衝突・散乱  ,  量子光学一般 

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