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J-GLOBAL ID：201502207313519604   整理番号：15A1175264

グラフェン/h-BNモアレ超格子【Powered by NICT】

Graphene/h-BN Moire superlattice

著者 (2件)： Lu Xiaobo (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Zhang Guangyu (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics Chinese Acad. of Sciences, Beijing)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 64  号： 7  ページ： 077305-1-077305-13  発行年： 2015年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ,グラフェンとその支持基板h-BNの間の相互作用に起因する特異な2D周期構造,グラフェンモアレ超格子が最近大きな関心を集めている。h-BN単結晶上のエピタキシャルグラフェンを用いて,モアレ超格子に関連した物理的性質を系統的に調べた。輸送測定から,電子と正孔側の両方で超格子Dirac点を観測することができる。Dirac点と同様に,超格子Dirac点は絶縁体挙動を示した。磁場の作用下で,単層と二層グラフェンの両方の量子H all効果が観測された。モアレ超格子はLandauファンダイヤグラムから自己相似ミニバンドの形成につながる可能性がある。赤外光学分光法測定によると,異なるLandau準位間の遷移は有質量Diracフェルミオンにより特性化し,このようにして~38meVのバンドギャップを明らかにした。さらに,磁場なしに,モアレ超格子に関連した光学伝導率ピークが現れた。三スピノルポテンシャル成分を用いて光学伝導率ピークを説明し,擬スピン混合成分はスピノルポテンシャル中の支配的な役割を果たすことを示す。添加では,スピノルポテンシャルは,ゲート電圧に敏感に依存し,電子-電子相互作用はスピノルポテンシャルのくりこみに重要な役割を果たすことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単結晶 ,  磁場 ,  赤 ,  正孔 ,  キャラクタリゼーション ,  単一層 ,  相互作用 ,  スペクトロスコピー ,  *モアレ ,  バンドギャップ ,  周期構造 ,  絶縁材料 ,  *超格子 ,  絶縁体

分類 (1件)： 数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  モアレ ,  超格子