HfO_2/Hfベースバイポーラ抵抗メモリの特性【Powered by NICT】

Bi Jinshun; Han Zhengsheng

文献

J-GLOBAL ID：201502207352662066 整理番号：15A1215781

HfO_2/Hfベースバイポーラ抵抗メモリの特性【Powered by NICT】

Characteristics of HfO_2/Hf-based bipolar resistive memories

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資料名：
巻： 36 号： 6 ページ： 064010-01-064010-05 発行年： 2015年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：中国 (CHN) 言語：英語 (EN)

ナノスケールHf/HfO_2ベース抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)素子を作製した。RRAMの頂部と底部電極間のクロスオーバは金属-絶縁体-金属サンドイッチ構造を形成した。RRAMの電気的応答を詳細に研究した,成形プロセス,SETプロセスとRESETプロセスを含む。SET電圧とRESET電圧,高抵抗状態と低抵抗状態の間の相関を議論した。RRAMの電気特性は,SETプロセスにおけるコンプライアンス電流と強い関係を示した。ナノスケールHf/HfO_2系RRAMの伝導機構は量子点接触モデルで説明できた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

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トランジスタ , 金属-絶縁体-半導体構造

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