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J-GLOBAL ID：201502207425954094   整理番号：15A0477002

高信頼性,高性能ReRAM及び3ビット/セルMLC NANDフラッシュ固体記録

Design Methodology for Highly Reliable, High Performance ReRAM and 3-Bit/Cell MLC NAND Flash Solid-State Storage

著者 (7件)： TANAKAMARU Shuhei (Chuo Univ., Tokyo, JPN) ,  TANAKAMARU Shuhei (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAMAZAWA Hiroki (Chuo Univ., Tokyo, JPN) ,  TOKUTOMI Tsukasa (Chuo Univ., Tokyo, JPN) ,  NING Sheyang (Chuo Univ., Tokyo, JPN) ,  NING Sheyang (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKEUCHI Ken (Chuo Univ., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers)
巻： 62  号： 3  ページ： 844-853  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： C0226B  ISSN： 1549-8328  CODEN： ITCSCH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高信頼性,高性能ReRAM及び3ビット/セルMLC NANDフラッシュ記録のための設計方法を提案した。CR,FR,及びAACは,ReRAMのBERを低減した。R_Refを変化により,BERは,CR化FRかのどちらかにより,65%まで減少した。AACは,セットあるいはリセットセルの個数を増加させて,BERをさらに減少させた。FR及びAACの組合せにより,BERは,69%まで減少した。FRのR_RefをAACに対して修正し,エラー非対称性を増大させた。

シソーラス用語： *電気抵抗 ,  *RAM【メモリ】 ,  *信頼性 ,  *NAND回路 ,  *フラッシュメモリ ,  *適応制御 ,  *符号化 ,  非対称性 ,  駆動機構 ,  ディスクアレイ ,  磁気ディスク ,  *誤り率 ,  *誤り訂正符号 ,  データ書込 ,  データ読取 ,  *故障率 ,  形状因子
準シソーラス用語： *ReRAM ,  NANDフラッシュ ,  非対称適応符号化 ,  HDD ,  RAID ,  BER【誤り率】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高信頼性 ,  高性能 ,  ReRAM ,  ビット ,  セル ,  NANDフラッシュ ,  固体