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J-GLOBAL ID：201502207438432608   整理番号：15A0154003

65nm CMOSにおける低電力時間領域VCOベースA DC【Powered by NICT】

A low-power time-domain VCO-based ADC in 65 nm CMOS

著者 (3件)： Wang Chenluan (Dep. of Electronic Sci. & Technol., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei) ,  Diao Shengxi (Dep. of Electronic Sci. & Technol., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei) ,  Lin Fujiang (Dep. of Electronic Sci. & Technol., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 35  号： 10  ページ： 105009-1-105009-6  発行年： 2014年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 65nm CMOS技術による低電力,高FOM(性能指数),時間領域VCO(電圧制御発振器)に基づくA DC(アナログ-ディジタル変換器)を提案した。非同期シグマ-デルタ変調器(ASDM)は電圧入力信号を変換する矩形波時間信号に使用され,その情報はパルス幅に含まれている。VCOは電圧を変換周波数に使用する時間領域量子化器を採用しているが,X OR(排他的OR)ゲート回路は周波数情報を変換ディジタル代表した。ASDMは外部クロックを必要としないので,量子化雑音ではない。同時に,ASDMはその相互コンダクタンス段,ASDMのSNDR(信号対雑音および歪み比)性能を増加させるに高調波歪補償技術を適用した。ASDMの出力は二レベル電圧信号であるため,VCO V-F(電圧/周波数)変換曲線は常に直線であった。X OR相量子化器は一次雑音整形の固有の特徴を持っている。さらに低域フィルタによりフィルタリングするA DCの低周波出力雑音を高周波。提案するA DCは,8MHz帯域幅で54dB/54 3dBのSNR/SNDRを達成し,2.8mWを消費する。提案するA DCのFoMは334fJ/conv段階である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *VCO【発振器】 ,  性能指数 ,  AD変換器 ,  ΔΣ変調 ,  量子化器 ,  ゲート回路 ,  ディジタル方式 ,  高調波歪 ,  低域フィルタ ,  帯域幅 ,  SN比 ,  *CMOS
準シソーラス用語： *低電力化 ,  *時間領域 ,  SNDR , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS ,  低電力 ,  時間領域 ,  VCO ,  DC